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    Bisherigeselektive Absorber mit guten optischen Eigenschaften werden mittelsdünner,poröserSchichten hergestellt. Diese weisen Probleme bei Belastungen durchhohe Temperatur oder Feuchte auf. Der hier offenbarte selektiveAbsorber soll die Vorteile vom Stand der Technik aufweisen und zudembei hohen Belastungen stabil bleiben.Der selektive Absorberzur Umwandlung des Sonnenlichtes in Wärme gemäß Anspruch 1 besteht aus dünnen Schichtenauf einem Substrat, vorzugsweise Aluminium, Kupfer oder Stahl. DiedünnenSchichten bestehen ihrerseits aus zwei Schichtsystemen. Das erste,das am Substrat angrenzende System enthält mindestens eine Schicht ausdichtem, d. h. leerraumfreiem Material aus Titan, Aluminium, Stickstoff,Kohlenstoff und Sauerstoff. Dieses Material weist die chemischeFormel TiαAlβNxCyOz auf.Das darüberliegende zweite System enthältmindestens eine Schicht, die aus einem Gemisch aus TiOz undAl2O3 besteht.
    公开号:DE102004019061A1
    申请号:DE102004019061
    申请日:2004-04-20
    公开日:2005-11-24
    发明作者:Peter Lazarov
    申请人:Peter Lazarov；
    IPC主号:C23C14-00
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft einen selektiven Absorber zur Umwandlung desSonnenlichtes in Wärme nachPatentanspruch 1, ein Verfahren zu dessen Herstellung nach Patentanspruch8, sowie eine Vorrichtung zu dessen Herstellung nach Patentanspruch 13.
    [0002] Bisherwurden fürselektive Absorber meist Substrate aus einem metallischen Materialverwendet, die mit einer selektiv absorbierenden Schicht versehensind. Solche selektiv absorbierenden Schichten sind seit H. Tabor1955 ("SelectiveRadiation 1. Wavelength Discrimination" in Bull. Res. Counc. Israel 5A(1956)p.119) bekannt. Diese Schichten haben die Eigenschaft das Sonnelicht möglichstvollständigzu absorbieren, gekennzeichnet durch den solaren Absorbtionsgrad αSOL und gleichzeitigmöglichstwenig Energie im thermischen Strahlungsbereich zu emittieren, beschriebendurch den thermischen Emissionsgrad εTH.Weiterhin müssendiese Schichten fürden Einsatz in Sonnenkollektoren geeignet sein, was eine Temperaturstabilität bis 250°C und Feuchtestabilität über mehrereJahre bedeutet. Eine Vielzahl von selektiven Absorbern sind bekannt,so z. B. DE 28 04 447C3 , DE 3615 181 A1 , DE44 25 140 C1 oder DE196 20 645 C2 . Stand der Technik der vorliegenden Erfindungam nächstenist DE 43 44 258 C1 .Darin wird ein Material aus TiNxOy mit Leerräumen offenbart, welches alsdünne Schicht aufvorzugsweise Kupfer einen selektiven Absorber bildet. Die hervorragendenoptischen Eigenschaften dieser Offenbarung (αSOL > 0,94 und εTH < 0,05) haben denNachteil, dass die geforderte Temperaturstabilität nicht erfüllt wird.
    [0003] Weiterhinsind dünneSchichten aus Verbindungen der Metalle der Gruppe IVa mit Stickstoff, Sauerstoffoder Kohlenstoff bekannt. DE36 37 810 C2 offenbart eine dekorative Schicht mit Titan,Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff. Diese Schicht wird als graubis schwarz beschrieben. Daraus ist zu entnehmen, dass der εTH inakzeptabelhoch liegen wird.
    [0004] DE 31 17 299 C2 offenbartTiNO und TiCO Schichten hergestellt mittels Elektronenstahlverdampfung.Bekanntermaßensind so hergestellte Schichten porös, d.h. sie enthalten Leerräume wiein DE 32 10 420 A1 undin DE 43 44 258 C1 offenbart. DieseSchichten haben ebenfalls Stabilitätsprobleme.
    [0005] DE 41 15 616 C2 offenbarteine TiAlNx Schicht als Hartstoffsystemfür Werkzeuge.Erfahrungsgemäß führen Metallnitridezu niedrigen αSOL und sind als selektive Absorber nur bedingtgeeignet.
    [0006] Aufgabeder vorliegenden Erfindung ist es, einen selektiven Absorber zuoffenbaren, der die oben genannten guten optischen Eigenschaften ohneihre Nachteile aufweist. Weiter besteht die Aufgabe der vorliegendenErfindung darin, ein Verfahren und eine Vorrichtung bereitzustellen,mit denen der selektive Absorber hergestellt werden kann.
    [0007] Erfindungsgemäß wird dieAufgabe durch die Gegenständeder Patentansprüche1, 8 und 13 gelöst.Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstände der Unteransprüche.
    [0008] Derselektive Absorber zur Umwandlung des Sonnenlichtes in Wärme gemäß Anspruch1 besteht as dünnenSchichten auf einem Substrat, vorzugsweise Aluminium, Kupfer oderStahl. Die dünnen Schichtenbestehen ihrerseits aus zwei Schichtsystemen. Das Erste, das amSubstrat angrenzende System enthältmindestens eine Schicht aus dichtem, d.h. leerraumfreiem Materialaus Titan, Aluminium, Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff. DiesesMaterial weist die chemische Formel TiαAlβNxCyOz auf.Die Summe von α und β ist 1 und α verhält sichzu β wie 1zu (0,05 bis 1), bevorzugt wie 1 zu (0,05 bis 0,6) und besonderstbevorzugt wie (0,05 bis 0,09). Weiterhin gilt für dieses Material dass x+y+zim Bereich von 0,8 bis 2 liegt, bevorzugt im Bereich von 1,2 bis 2und besonderst bevorzugt im Bereich 1,5 bis 5. Für die einzelnen Bestandteilegilt, dass 0,0 ≤ x ≤ 1,2, bevorzugt0,0 ≤ x ≤ 0,1; 0,2 ≤ y ≤ 2, bevorzugt1 ≤ y ≤ 2 und 0,05 ≤ z ≤ 2 ist. Dasdarüberliegende zweite System enthältmindestens eine Schicht, die aus einem Gemisch aus TiOz undAl2O3 besteht. Für diese Schichtgilt 1 ≤ z ≤ 2. Die Möglichkeitdas System Eins mit mindestens einer weiteren Schicht aus dichtem,d.h. leeraurnfreien Material aus Titan, Stickstoff, Kohlenstoffund Sauerstoff mit der chemischen Formel TiNxCyOz auszugestalten,erlaubt eine schnellere Produktion des selsktiven Absorbers beigleich bleibenden Eigenschaften. Diese Schicht wird dadurch beschrieben,dass x+y+z im Bereich von 0,9 bis 2 liegt, bevorzugt im Bereichvon 1,3 bis 2. Ferner gilt 0,0 ≤ x ≤ 1,2, bevorzugt0,0 ≤ x ≤ 0,1; 0,2 ≤ y ≤ 2, bevorzugt1 ≤ y ≤ 2 und 0,05 ≤ z ≤ 2. Alle obigenVerhältnissebeziehen sich auf die Teilchenzahl beziehungsweise auf die Molverhältnisse.
    [0009] Daszweite Schichtsystem kann weiter mindestens eine aus einem der folgendenMaterialien SiO2, ZrO2,TiO2, Ba2O3, Al2O3,PbO2, oder ZnO2 oder Kombinationenaus diesen enthalten. Durch eine solche Oxidschicht kann der selektiveAbsorber passiviert werden, wodurch seine Lebensdauer erhöht wird.
    [0010] DieDicke des ersten Systems liegt im Bereich von 50 bis 150 nm, bevorzugtim Bereich von 70 bis 120 nm. Die Dicke des zweiten Systems liegtim Bereich von 80 bis 300 nm, bevorzugt im Bereich von 90 bis 180nm. Diese Ausgestaltung der Erfindung erlaubt mit geringem Materialeinsatzund damit mit geringen Kosten selektive Absorber mit hervorragendenEigenschaften herzustellen.
    [0011] Weiterhinkann zwischen Lichtbogenverdampfer und Substrat eine Biasspannungvorzugsweise von 50 bis 1000 V, besonderst bevorzugt 150 bis 750V eingesetzt werden, damit auch verunreinigte Substrate mit demVerfahren haftfest beschichtet werden können.
    [0012] Weiterwird die vorliegende Erfindung durch ein Verfahren zur reaktivenLichtbogenverdampfung (ARC) gemäß Anspruch8 gelöst.Erfindungsgemäß entstehtwährenddes Abscheidens der Metalle Titan und Aluminium auf ein Substratdurch Aufrechterhalten einer Gasatmosphäre, die mindestens eines der GaseArgon, Stickstoff, Kohlendioxid und Sauerstoff enthält, eineOxid-, Nitrid- oder Carbid-Verbindung. Um dichte, also leerraumfreieSchichten zu erhalten werden keine thermischen Verfahren zum Verdamp feneingesetzt, sondern die Lichtbogenverdampfung. Bei diesem Verfahrenwird ein Plasma zum Abscheiden des Targetmaterials benutzt und führt zu einer hohenIonisationsrate des zu verdampfenden Materials. Dichte Schichtensind die Folge. In einer Vakuumkammer wird das zu beschichtendeSubstrat über zweiGruppen aus Reihen von Lichtbogenverdampfem geführt. Die Reihen der Verdampfersind quer zur Bewegungsrichtung des Substrates angeordnet. Die Verdampferder in Bewegungsrichtung ersten Gruppe sind mit Titantargets bestückt unddie der zweiten mit Targets bestehend aus einem Gemisch aus Titan undAluminium. Der Volumenanteil an Aluminium in diesem Target beträgt 5 bis45%, bevorzugt 15 bis 33%. Die Reaktionsgase Stickstoff und Kohlendioxid werdennahe der ersten Gruppe von Verdampfern zugeführt. Der Abstand zwischen Verdampferund Gaszuführungist kleiner als der Abstand zwischen den zwei Gruppen. Sauerstoffwird nahe der zweiten Gruppe zugeführt, näher als den halben Abstandzwischen den beiden Gruppen. Ferner wird Argon zwischen den zweiGruppen zugeführt.Der Gesamtdruck wird überden Zufluss von Argon oder wahlweise von Sauerstoff auf einen Wertim Bereich 10-3 bis 10-2 gestellt.Erfindungsgemäß beträgt das Verhältnis derZuflüsseder Gase O2 zu CO2 zuN2 wie 1 zu (0,05 bis 5) zu (0 bis 0,25).Der Zufluss an N2 Gas wird in Abhängigkeitder Verdampferrate der ersten Gruppe eingestellt nach der Formel: Zufluss [in sccm/s] = Rate [in μg/sec]·f,wobeider Faktor f im Bereich von 0 bis 2, bevorzugt im Bereich 0,05 bis1,3 liegt. Der Anteil an Argon im Gasgemisch liegt im Bereich 0bis 50%.
    [0013] Einebevorzugte Ausgestaltung der Erfindung ist, dass nach der zweitenGruppe an Verdampfern weitere thermische Verdampfer eingesetzt werdenum dielektrische Schichten aus SiO2, ZrO2, TiO2, Ba2O3, Al2O3, PbO2, oder ZnO2 reaktiv abzuscheiden.
    [0014] Weiterhinist es von Vorteil die Substrattemperatur im Bereich von 150°C bis 500°C zu wählen. Dadurchkann die Haftfestigkeit verbessert werden. Die Möglichkeit CO2 durchMethan oder/auch CO zu ersetzen oder zu ergänzen erlaubt flexiblere Herstellungdes erfindungsgemäßen Absorbers.
    [0015] Beider erfindungsgemäßen Vorrichtungzur Herstellung des selektiven Absorbers nach obigem Verfahren wirdin einer zylindrischen Vakuumkammer ein Schichtsystem mittels reaktiverLichtbogenverdampfung abgeschieden. Die zylindrische, evakuierbareVakuumkammer (3) hat mindestens an einer Seite des Zylinderseine Türe(2). Durch diese Türe (2)führt einTragrohr (1) auf dem eine Wickelvorrichtung (17)befestigt ist. Zwischen zwei Lagerschilden (4, 5)befinden sich eine Abwickelwalze (8), eine Aufwickelwalze(9) mindestens zwei Umlenkwalzen (6, 7)und mindestens eine Tänzerwalze(12, 13) sowie mindestens eine Anpresswalze (11),wobei die Achsen aller Walzen parallel zur Achse des Tragrohres (1)sind und Tragrohr (1) und Türe (2) unabhängig voneinanderauf einem Fahrwagen befestigt sind. Dieser Fahrwagen fährt aufRollen oder Schienen parallel zur Zylinderachse der Kammer (3),derart dass die Wickelvorrichtung (17) vollständig indie Kammer (3) einfahrbar ist und die Türe (2) die Kammer(3) vakuumdicht schließt.Ferner weist die Wickelvorrichtung (17) Tänzerwalzen(12, 13) auf, die je durch zwei Federpakete (14)in Richtung Tragrohr (1) gezogen werden. Das zu beschichtendeSubstratband bildet zwischen den Umwickelwalzen (6, 7)eine freie Strecke. Unterhalb dieser sind Gruppen von Lichtbogenverdampfernangebracht. Diese Verdampfer sind in belüfteten Gefäßen (21) befestigt,welche in der Kammer (3) positioniert sind.
    [0016] 1 zeigtdie Reflexion als Funktion der Wellenlänge von Beispiel 1.
    [0017] 2 zeigtschematisch den Aufbau der Vorrichtung nach Beispiel 4.
    [0018] 3 zeigtdie Reflexion als Funktion der Wellenlänge von Beispiel 2.
    [0019] 4 zeigtdie Reflexion als Funktion der Wellenlänge von Beispiel 3.
    [0020] Ineiner Vakuumkammer evakuiert durch eine Öldiffusionspumpe gefolgt voneiner Wälzkolbenpumpsund einer zweistufigen Drehschieberpumpe sind zwei kommerziell erhältlicheLichtbogenverdampfer mit ⌀ 69mm an gebracht. 0,2 mm dicke Kupfersubstratbänder werden mittels eines Manipulators über dieVerdampfer geführt.Beide Verdampfer sind mit 20%igen Al-Ti Mischtargets bestückt. 5mm vor dem ersten Verdampferwerden 100 sccm N2 und 350 sccm CO2 eingeführt.5 mm hinter dem zweiten Verdampfer werden 1000 sccm O2 zugeführt. VorBeginn und währendder Beschichtung brennen die Lichtbogenverdampfer je mit 60A. DieSubstrate werden derart überdie Verdampfer geführt,dass die gewünschteSchichtdicke entsteht. Diese wird mit Schwingquarzen, welche ebenfallsmit den Substraten bewegt werden gemessen. Als Substrattemperaturwurde 250°Cgewählt.Nach der Beschichtung wurden der solare Emissionsgrad und der thermischeEmissionsgrad mit Spektrometern bestimmt. Die Schichtzusammensetzungwurde mittels Auge-Spektroskopie ermittelt. Folgende Ergebnissewurden gemessen: αSOL = 0,94; εTH =0,04 von TiαAlβNxCyOz mit(α = 0,8; β = 0,2; x= 0,1; y = 1,1; z = 0,6) der Dicke 90 nm und TiO2/Al2O3 – Schichtder Dicke 105 nm auf Kupfer.
    [0021] DerParametersatz in Beispiel 2 unterscheidet sich von Beispiel 1 folgendermaßen: DasGemisch Titan zu Aluminium betrug 90% Titan und 10% Aluminium. DerN2 Gasfluss betrug 50 sccm und der von O2 2000 sccm. Folgende Ergebnisse wurden gemessen: αSOL =0,95; εTH = 0,04 von TiαAlβNxCyO2 mit(α = 0,9; β = 0,1; x= 0,02; y = 0,9; z = 1,08) der Dicke 85 nm und TiO2/Al2O3 – Schichtder Dicke 100 nm auf Kupfer.
    [0022] Indiesem Beispiel wurde der erste Verdampfer nur mit Titan bestückt, derZweite mit einem Aluminiumanteil von 45%. Der N2 Gasflussbetrug 400 sccm; CO2 500 sccm; Methan 500sccm und O2 1000 sccm. Bei diesem Beispielwurden folgende Ergebnisse ermittelt: αSOL =0,95; εTH = 0,05 von System I: 40 nm TiNxCyOz mit(x = 0,3; y = 1,0; z = 0,7); 55 nm TiαAlβNxCyOz mit (α = 0,7; β = 0,3; x= 0,1; y = 1,0; z = 0,9) und System II: TiO2/Al2O3 – Schichtder Dicke 105 nm auf Kupferband.
    [0023] DieVorrichtung zur Beschichtung besteht aus einer zylindrischen Vakuumkammer(3), einer Wickelvorrichtung (17), welche an einemTragrohr (1) befestigt ist. Tragrohr (1) und Türe (2)der Vakuumkammer (3) sind an einem Fahrwerk befestigt.Das Fahrwerk fährtauf einem Schienensystem derart, dass Tür (2) und Tragrohr(1) mit der Wickelvorrichtung (17) in die Vakuumkammer(17) einfahren kann. Die Tür (2) und die Kammer(3) sind beide mit einem Dichtungsflansch (18)versehen, so dass die Türe(2) die Kammer (3) vakuumdicht abdichtet.
    [0024] DieWickelvorrichtung besteht aus zwei Lagerschilden (4, 5)an denen die Walzen, Ab- und Aufwickelwalze (8, 9),Umlenkwalzen (6, 7), Anpressrollen (10, 11),Tänzerwalzen(12, 13) und die Federpakete (14) angebrachtsind. Das zu beschichtende Band wird von der Abwickelwalze (8) über dieUmlenkwalze (6) geführt.Hierbei wird es von der Tänzerwalze(13) geführtund gestreckt, so dass an der Umlenkwalze (6) ein definierterUmschlingungswinkel entsteht. Die Umlenkwalze (6) ist indiesem Beispiel als Heizwalze ausgeführt. Hierzu werden elektrische Leitungendurch das Rohr (1) verlegt, die über elektrische Durchführungen(19) an die Vakuumseite gelangen. Von dort werden die Leitungenzur Heizwalze (6) vakuumseitig verlegt. Die Heizwalze (6)selbst ist derart ausgestaltet, dass sie aus einem Hohlrohr besteht,welches drehbar gelagert ist. In diesem Hohlrohr befindet sich ortsfesteine zylinderförmigeelektrische Strahlungsheizung. Das Band bildet von der Heizwalze(6) bis zur Umlenkwalze (7) eine freie Strecke.Unterhalb dieser freien Strecke sind zwei Reihen Lichtbogenverdampfer,jede Reihe bestehend aus drei Verdampfern an der Kammer (3)angebracht, mit welchen das laufende Band beschichtet wird. Jedereinzelne Verdampfer ist in einem belüfteten Gefäß (21) eingebracht,derart, dass er in der Kammer (3) frei positionierbar ist.
    [0025] Hinterder Umlenkwalze (7) wird das Band um eine zweite Tänzerwalze(12) geführtzur Aufwickelwalze (9). Weiterhin ist die Wickelvorrichtung (17)mit zwei Anpresswalzen (11) versehen. Diese erlauben eseinen Schneidgrad bei Metallbändernanzupressen und führenzu einer besseren Wickelqualität.Die Auf- (9) und Abwickelwalzen (8) sind über Antriebswellen(20) mit Motoren (16) über eine Vakuumdrehdurchführung verbunden.Die Motoren sind an der Tür(2) luftseitig angebracht.
    [0026] Nebenjedem Verdampfer sind zwei Gaseinlassdüsen angebracht. In der Mittezwischen den Verdampferreihen befindet sich eine Düse für Argon.
    [0027] SelektiverAbsorber zur Umwandlung von Sonnenlicht in Wärme, ein Verfahren und eineVorrichtung zu dessen Herstellung
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] Selektiver Absorber zur Umwandlung des Sonnenlichtesin Wärme, dadurchgekennzeichnet, dass auf einem Substrat zwei Schichtsystemeaufgetragen sind, wobei das dem Substrat am nächsten liegende System mindestenseine Schicht aus dichtem, d.h. leerraumfreiem Material aus Titan,Aluminium, Stickstoff, Kohlenstoff und Sauerstoff mit der chemischenFormel TiαAlβNxCyOz enthält wobei α + β = 1 istuns sich α zu β wie 1 zu0,05 bis 1 verhältund x+y+z = 0,8 bis 2 ist und 0,0 ≤ x ≤ 1,2 ist und0,2 ≤ y ≤ 2 ist und0,05 ≤ z ≤ 2 ist, weiterhindass das darüber liegendezweite System mindestens eine Schicht enthält die aus einem Gemisch ausTiOz und Al2O besteht,mit 1≤ z ≤ 2.
    [2] Selektiver Absorber nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass das Material in dem ersten System aus Titan, Aluminium, Stickstoff,Kohlenstoff und Sauerstoff mehr Kohlenstoff als Sauerstoff enthält.
    [3] Selektiver Absorber nach Anspruch 1 bis 2, dadurchgekennzeichnet, dass eine der Schichten des dem Substrat am nächsten liegendenSystems aus dichtem, d.h. leerraumfreiem Material aus Titan, Stickstoff,Kohlenstoff und Sauerstoff mit der chemischen Formel TiNxCyOz bestehtwobei x+y+z = 0,9 bis 2 ist und 0,0 ≤ x ≤ 1,2 ist und 0,2 ≤ y ≤ 2 ist und0,05 ≤ z ≤ 2 ist.
    [4] Selektiver Absorber nach Anspruch 1 bis 3, dadurchgekennzeichnet, dass mindestens eine der Schichten im zweiten Systemaus mindestens einem der folgenden Materialien besteht: SiO2, Zr O2, TiO2, Ba2O3,Al2O, PbO2, oderZnO2 oder aus Kombinationen von diesen.
    [5] Selektiver Absorber nach Anspruch 1 bis 4, dadurchgekennzeichnet, dass die Dicke des ersten Systems im Bereich von50 bis 150 nm liegt.
    [6] Selektiver Absorber nach Anspruch 1 bis 5, dadurchgekennzeichnet, dass die Dicke des zweiten Systems im Bereich 80bis 300 nm liegt.
    [7] Selektiver Absorber nach Anspruch 1 bis 6, dadurchgekennzeichnet, dass es sich bei dem Substrat um ein Band aus Kupfer,Aluminium oder Stahl handelt.
    [8] Verfahren zur Herstellung des selektiven Absorbersnach den Ansprüchen1 bis 7 mittels reaktiver Lichtbogenentladung, dadurch gekennzeichnet, dassin einer Vakuumkammer das zu beschichtende Substrat über zweiGruppen aus Reihen von Lichtbogenverdampfern geführt wird, wobei die Reihender Verdampfer quer zur Bewegungsrichtung des Substrates angeordnetsind, weiterhin die Verdampfer der in Bewegungsrichtung ersten Gruppemit Titan oder auch einem Gemisch aus Titan und Aluminium als Verdampfermaterialbestücktsind, die der Zweiten mit einem Gemisch aus Titan und Aluminiummit 5 bis 45% Volumenprozent an Aluminium bestückt sind, weiterhin die GaseStickstoff und Kohlendioxid nahe der Verdampfer der ersten Gruppezugeführtwerden, in einem Abstand der maximal die Hälfte des Abstandes zwischenden zwei Gruppen beträgtund Sauerstoff in der Näheder zweiten Gruppe, ebenfalls in einem Abstand der kleiner als dieHälftedes Abstandes zwischen den zwei Gruppen ist, und ebenso Argon zwischenden zwei Gruppen zugeführtwird, wobei der Gesamtdruck überden Zufluss von Argon oder wahlweise von Sauerstoff auf 10-3 bis 10-2 geregelt wird,wobei das Verhältnisder Zuflüsseder Gase O2 zu CO2 zuN2 sich wie 1 zu (0,05 bis 5) zu (0 bis0,25) verhältund der Zufluss an N2 Gas über dieVerdampferrate der ersten Gruppe geregelt wird nach der Formel:Zufluss [in sccm/s] = Rate [in μg/sec]·f, wobeif im Bereich von 0 bis 2 liegt und der Anteil an Argon im Gasgemischim Bereich 0 bis 50% liegt.
    [9] Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,dass nach der in Bewegungsrichtung zweiten Gruppe eine weitere Gruppean thermischen Verdampfern folgt die mit Materialien Si, Zr, Ti,Ba, Al, Pb, oder Zn bestücktsind und durch reaktives Verdampfen entsprechende Dielektrika abscheiden.
    [10] Verfahren nach Anspruch 8 bis 9, dadurch gekennzeichnet,dass zusätzlichoder anstatt dem Gas CO2 auch Methan und/oderCO zugeführtwerden kann.
    [11] Verfahren nach Anspruch 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet,dass das Substart währendder Beschichtung auf einer Temperatur im Bereich von 150°C bis 500°C gehaltenwird.
    [12] Verfahren nach Anspruch 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet,dass das zwischen Lichtbogenquelle und Substart eine Spannung von50 bis 1000 V angelegt wird.
    [13] Vorrichtung zur Herstellung des selektiven Absorbersauf bandförmigenSubstraten mittels Verfahren nach Anspruch 8 bis 12 bestehend auseiner zylindrischen evakuierbaren Vakuumkammer (3), mit einermindestens an einer Seite des Zylinders angeordneten Türe (2)und einer Wickelvorrichtung (17), dadurch gekennzeichnet,dass durch die Türe(2) ein Tragrohr (1) führt auf welchem die Wickelvorrichtung (17)befestigt ist, die aus zwei Lagerschilden besteht (4, 5),zwischen denen sich eine Abwickelwalze (8), eine Aufwickelwalze(9) mindestens zwei Umlenkwalzen (6, 7)und mindestens eine Tänzerwalze(12, 13) sowie mindestens eine Anpresswalze (11)befindet, wobei die Achsen aller Walzen parallel zur Achse des Tragrohres(1) sind und Tragrohr (1) und Türe (2) getrenntoder unabhängigvoneinander auf einem Fahrwagen befestigt sind, wobei dieser Fahrwagen aufRollen oder Schienen parallel zu Zylinderachse der Kammer (3)beweglich ist und jede Tänzerwalze (12, 13)durch je zwei Federpakete (14) in Richtung Tragrohr (1)gezogen wird und unter der freien Strecke zwischen den Umwickelwalzen(6, 7) an der Vakuumkammer (3) Gruppenvon belüftetenGefäßen (21)mit Lichtbogenverdampfern angebracht sind.
    [14] Vorrichtung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet,dass neben jedem Verdampfer der Gruppe eins eine Gasdüse für die Zufuhrvon CO2 und eine für die Zufuhr von N2 angebrachtist, in der Mitte zwischen Gruppe eins und zwei mindestens eineDüse für Argonund neben jedem Verdampfer der Gruppe zwei eine Düse für die Zufuhrvon Sauerstoff angebracht ist.
    [15] Vorrichtung nach Anspruch 13 bis 14, dadurch gekennzeichnet,dass mindestens eine Umlenkwalze als Heizwalze ausgestaltet ist.
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    同族专利:
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2005-11-24| OP8| Request for examination as to paragraph 44 patent law|
    2009-02-12| 8381| Inventor (new situation)|Inventor name: LAZAROV, PETER, 82041 DEISENHOFEN, DE |
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    2011-05-19| R037| Decision of examining division or of federal patent court revoking patent now final|Effective date: 20110225 |
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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